伤害某半导体材料存储芯片代加工制作厂，晶圆代加工整个过程中所产生含硅、氟的异常废水进行处理工艺处里形式，的设计处里规模性1200吨/日。废水进行处理工艺处里形式因素复杂性，带有微米级硅科粒及盐酸，传统意义处里形式很难不合格。 废气有效成分及起源 其主要污染源物 ：胶体溶液硅（100-500nm比表面积）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 特征道工序 ：晶圆刻蚀生活污水（45%）、CMP化学物质机增加光泽生活污水（40%）、仪器情况呢水（15%） 处里工序方法 改革创新应用"电化学沉定+特总膜分离法"技巧路线规划： 钙盐积淀 ：添加氯化钙我们要除氟阳离子（合成CaF2奠定） 水解酸化池表现 ：pp二沉池剂变现溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm钻孔大小膜虚报冒领微细颗粒肥料 反渗入系统的 ：脱盐率>98%，收旧率75% 蒸发掉心得 ：浓水段改变氟化物0排放物 进而特效 氟化物溶度：<8mg/L（高出的国家考试内容一级条件10mg/L） 硅含水量：<5mg/L 水环境资源中水回用率：70%用做冷却后塔补水保湿 危险废弃物减轻：挥发残留量较传统式工序减小60%